PhD position – Intégration d’une mémoire résistive avec un sélecteur back-end dans le nœud FDSOI 28nm pour les applications In Memory Computing

SL-DRT-20-1172

DOMAINE DE RECHERCHE

Matériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique

ABSTRAIT

Nous sommes actuellement à l’ère du Big Data, avec l’explosion de la génération et du traitement des données. Dans ce contexte, il est prévu que les centres de données consommeront environ 1/5 de la puissance de la Terre d’ici 2025. Il est donc urgent de développer de nouvelles technologies et architectures basées sur des concepts perturbateurs pour permettre l’émergence de l’In Memory Computing (IMC) et de l’intelligence artificielle (AI) pour des systèmes plus efficaces. Le laboratoire de mémoire du CEA-LETI développe les prochaines générations de mémoires non volatiles, dont la structure Crossbar basée sur le sélecteur ReRAM + OTS qui est la structure élémentaire requise pour les circuits innovants de demain. L’objectif est sur un nœud technologique de 28 nm qui offre un excellent compromis entre le nœud avancé et la flexibilité d’intégration. nous proposons d’intégrer une mémoire résistive (ReRAM) avec un sélecteur back-end (type OTS) en technologie 28nm avec une plateforme de 12 pouces pour les applications In Memory Computing. Dans ce but, le véhicule d’essai LETI MAD300 sera utilisé. Le RRAM et l’OTS seront intégrés dans le BEOL en plus d’une technologie FDSOI de 28 nm. Différents matériaux et empilements seront développés et comparés. Les structures intégrées seront caractérisées électriquement à l’aide de stations de sondes, afin d’évaluer les performances des appareils à haute endurance et à haute vitesse. Des analyses détaillées, basées sur des modèles physiques et des simulations seront réalisées afin de comprendre les données expérimentales. Sur la base des résultats, des piles améliorées seront conçues et traitées. Le véhicule d’essai LETI MAD300 sera utilisé. Le RRAM et l’OTS seront intégrés dans le BEOL en plus d’une technologie FDSOI de 28 nm. Différents matériaux et empilements seront développés et comparés. Les structures intégrées seront caractérisées électriquement à l’aide de stations de sondes, afin d’évaluer les performances des appareils à haute endurance et à haute vitesse. Des analyses détaillées, basées sur des modèles physiques et des simulations seront réalisées afin de comprendre les données expérimentales. Sur la base des résultats, des piles améliorées seront conçues et traitées. Le véhicule d’essai LETI MAD300 sera utilisé. Le RRAM et l’OTS seront intégrés dans le BEOL en plus d’une technologie FDSOI de 28 nm. Différents matériaux et empilements seront développés et comparés. Les structures intégrées seront caractérisées électriquement à l’aide de stations de sondes, afin d’évaluer les performances des appareils à haute endurance et à haute vitesse. Des analyses détaillées, basées sur des modèles physiques et des simulations seront réalisées afin de comprendre les données expérimentales. Sur la base des résultats, des piles améliorées seront conçues et traitées. afin d’évaluer les performances des appareils à haute endurance et à haute vitesse. Des analyses détaillées, basées sur des modèles physiques et des simulations seront réalisées afin de comprendre les données expérimentales. Sur la base des résultats, des piles améliorées seront conçues et traitées. afin d’évaluer les performances des appareils à haute endurance et à haute vitesse. Des analyses détaillées, basées sur des modèles physiques et des simulations seront réalisées afin de comprendre les données expérimentales. Sur la base des résultats, des piles améliorées seront conçues et traitées.

EMPLACEMENT

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire de Composants Mémoires

Grenoble

CONTACT

MOLAS Gabriel

CEA

DRT / DCOS // LCM

CEA / GRENOBLE 17 rue des Martyrs38054 Grenoble CEDEX 9

Numéro de téléphone: 04 38 78 92 56

Courriel: gabriel.molas@cea.fr

UNIVERSITY / GRADUATE SCHOOL

Grenoble INP

Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)

EN SAVOIR PLUS

https://fr.linkedin.com/in/gabriel-molas-2609b15

DATE DE DÉBUT

Date de début le 01-10-2020

SUPERVISEUR DE THÈSE

RAFHAY Quentin

IMEP LAHC CNRS

UMR 5130

Grenoble INP – Minatec: 3, Parvis Louis Néel – CS 50257 – 38016 Grenoble Cedex 1