Doctorant – Département d’électronique et systèmes d’information

Date de dernière demande 30 mai 2020 23:59

Département TW06 – Département d’électronique et systèmes d’information

Catégorie d’emploi Doctorant

Contrat à durée limitée

Taux d’occupation 100%

Type de poste Personnel de recherche

Description de l’emploi

Doctorat au sein du groupe de recherche CMST (imec & Ghent University) sous la direction du Prof. Dr. Benoit Bakeroot et en étroite collaboration avec imec (Dr. Stefaan Decoutere) dans le domaine des dispositifs en nitrure de gallium pour applications électroniques de puissance

Description du projet:

Le nitrure de gallium (GaN) devrait être le semi-conducteur de puissance de prochaine génération. Avec une résistance au claquage plus élevée, une vitesse de commutation plus rapide, une conductivité thermique plus élevée et une résistance à l’état passant plus faible, les dispositifs d’alimentation basés sur GaN surpassent considérablement les puces d’alimentation à base de Si. Les dispositifs d’alimentation basés sur GaN de première génération joueront un rôle clé dans la conversion d’énergie dans les chargeurs de batterie, les smartphones, les ordinateurs, les serveurs, l’automobile, les systèmes d’éclairage et le photovoltaïque. Imec est un pionnier de la technologie GaN depuis plus de 15 ans, développant des plaquettes de 200 mm / 8 pouces pour réaliser des dispositifs GaN sur silicium à moindre coût tout en maintenant des performances de classe mondiale.

Aujourd’hui, la technologie GaN est portée à un niveau de maturité plus élevé, y compris une plate-forme GaN-IC où, par exemple, des demi-ponts et des pilotes de portes partielles sont intégrés sur puce. Afin de pouvoir concevoir dans cette technologie GaN-IC, des modèles compacts fiables pour les composants GaN sont nécessaires. Les modèles compacts existants pour les transistors en mode d’amélioration sont aujourd’hui dérivés des transistors à mobilité électronique élevée (HEMT) de type Schottky en mode d’appauvrissement AlGaN / GaN. Par exemple, il manque encore un modèle compact dédié pour la porte p-GaN en mode amélioration AlGaN / GaN HEMT. La position ouverte se concentrera sur la modélisation compacte et la validation des composants de la technologie GaN-IC en étroite collaboration avec imec.

L’étudiant sera intégré au groupe de recherche CMST de l’Université de Gand. Il / elle travaillera vers un doctorat sous la supervision du Prof. Dr. Benoit Bakeroot. La bourse de doctorat s’étend sur une période de 48 mois. Le doctorant travaillera également en collaboration avec l’équipe GaN de l’imec. Le doctorant développera des modèles compacts pour les dispositifs d’alimentation GaN. À cette fin, l’étudiant aura accès aux composants GaN de l’imec comme matériau de référence. L’étudiant effectuera des mesures sur plaquette et aura accès à des systèmes de mesure spécialisés, afin de pouvoir calibrer les modèles compacts développés. De plus, l’étudiant aura accès à un logiciel de conception assistée par ordinateur (TCAD). CMST a une longue expérience dans les simulations TCAD pour ces composants GaN.

Profil du candidat

Le doctorant doit être titulaire d’une maîtrise ès sciences en physique (génie) ou en génie électrique. Le diplôme doit être obtenu avant la date de début prévue du 1er octobre 2020. Le doctorant doit avoir suivi au moins un cours spécialisé sur la physique des dispositifs semi-conducteurs et doit avoir un fort intérêt pour la physique des dispositifs semi-conducteurs, la modélisation analytique et la programmation scientifique (expérience avec par exemple Python est un atout important). Le candidat au doctorat devrait avoir une attitude ouverte envers l’apprentissage de nouvelles compétences en recherche, devrait être un joueur d’équipe et la maîtrise de l’anglais est nécessaire.

comment s’inscrire

Vous pouvez postuler par e-mail à  Katrien.Vanneste@ugent.be , en utilisant le sujet «Application PhD: GaN compact modeling». Veuillez fournir les informations suivantes:

1. Un CV complet comprenant vos antécédents académiques / éducatifs, votre expérience des travaux expérimentaux et de la programmation, la liste des publications le cas échéant

2. Une lettre de motivation contenant les intérêts de recherche, les compétences, les plans de carrière, les raisons de postuler à ce programme (1 ou 2 pages),

3. Une liste d’au moins deux références avec les coordonnées.

4. Copies des diplômes pertinents et des listes de notes (relevé de notes des cours de licence et de master).

5. Pour les candidats de pays non anglophones, veuillez joindre des copies des certificats de langue anglaise récents, le cas échéant.

Les fichiers doivent être au format pdf et peuvent être combinés en un seul fichier. À partir de toutes les candidatures, une liste restreinte de candidats sera établie, qui sera contactée pour un entretien (éventuellement via Skype / Teams). La date limite de candidature est le 31 mai 2020.