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Read More »PhD position – Intégration d’une mémoire résistive avec un sélecteur back-end dans le nœud FDSOI 28nm pour les applications In Memory Computing
DESCRIPTION DE L’EMPLOI SL-DRT-20-1172 DOMAINE DE RECHERCHE Matériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique ABSTRAIT Nous sommes actuellement à l’ère du Big Data, avec l’explosion de la génération et du traitement des données. Dans ce contexte, il est prévu que les centres de données consommeront environ 1/5 …
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