PhD position – Simulation multi-échelle des mémoires PCM: du matériau à l’appareil

SL-DRT-20-1101

DOMAINE DE RECHERCHE

Simulation numérique

ABSTRAIT

De nombreux produits de STMicroelectronics sont basés sur des technologies qui intègrent la mémoire intégrée. Dans ce contexte, le développement de nouvelles cellules mémoire pour répondre aux besoins futurs de performances et de miniaturisation est un enjeu clé. Pour les besoins de ces développements, les outils de simulation sont largement utilisés pour comprendre, prédire et optimiser le fonctionnement et les performances de ces nouvelles cellules mémoire.Le sujet de cette thèse participe au développement technologique des mémoires à changement de phase (PCM) utilisant la résistivité changement induit par un changement de phase de matériaux de type chalcogénure pour stocker des informations. L’objectif de cette thèse est de modéliser les opérations de ce type de mémoire. A cet effet, un modèle basé sur la méthode du champ de phase permettant de simuler les différents phénomènes impliqués dans le changement de phase (amorphisation, cristallisation,

EMPLACEMENT

Département Composants Silicium (LETI)

Laboratoire de Simulation et Modélisation

Grenoble

CONTACT

CUETO Olga

CEA

DRT / DCOS // LSM

CEA-LETI DRT / DCOS / SCME / LSMCEA GRENOBLE- MINATEC Campus17 Rue des Martyrs38054 Grenoble Cedex 9 France

Numéro de téléphone: (+33) 4 38 78 47 38

Courriel: olga.cueto@cea.fr

UNIVERSITY / GRADUATE SCHOOL

Ecole Polytechnique

Ecole Doctorale de l’Institut Polytechnique de Paris

DATE DE DÉBUT

Date de début le 01-10-2020

SUPERVISEUR DE THÈSE

PLAPP Mathis

Ecole Polytechnique

Laboratoire de Physique de la Matière Condensée

Ecole Polytechnique91128 Palaiseau cedex, France

Numéro de téléphone: 01 69 33 47 77

Courriel: Mathis.Plapp@polytechnique.fr