Poste de doctorat | Explorer les matériaux et les stratégies pour les contacts métalliques des appareils 2D avancés

Rejoignez une équipe internationale et multidisciplinaire pour effectuer des recherches sur la mise en contact des matériaux en canal 2D.

La technologie des semi-conducteurs en silicium a été le principal moteur de l’évolution de notre vie quotidienne au cours des 60 dernières années. Le développement d’appareils électroniques, de capteurs, d’automatisation, d’ordinateurs, de caméras et de smartphones basés sur ce matériau atteindra dans un avenir proche ses limites ultimes en raison de la réduction continue de la taille physique des appareils et des câbles jusqu’à l’échelle nanométrique. La miniaturisation des circuits semble avoir atteint un point d’arrêt possible, puisque les transistors ne peuvent être réduits que jusqu’à une certaine taille et pas au-delà. Il existe donc un besoin urgent de compléter la technologie Si CMOS avec de nouveaux matériaux pour répondre aux futures exigences informatiques ainsi qu’aux besoins de diversification des applications.

Dans ce cadre, les matériaux bidimensionnels (2D) offrent des perspectives d’avancées sans précédent en termes de performances des dispositifs à l’échelle inférieure au nanomètre. Leur incroyable potentiel s’est avéré être une solution possible pour surmonter les limites de la technologie du silicium, où la combinaison de matériaux 2D avec des puces de silicium promet de dépasser les limites technologiques actuelles. Avec cette vision, imec étudie leur intégration, en particulier pour les technologies CMOS au-delà du silicium et les technologies de mémoire avancées. Cependant, de nombreux défis restent encore à relever pour débloquer leur intégration dans la technologie Si, en particulier le module de contact au niveau de la zone source/drain dans un dispositif à transistor à effet de champ. La recherche de la diminution de la résistance de contact est aujourd’hui l’objectif principal pour améliorer les performances des appareils actuels.

Dans ce projet, le doctorant explorera différentes voies pour améliorer le contact métallique avec le canal 2D. L’épitaxie et/ou le dépôt de métaux spécifiques, semi-métaux, métaux 2D seront au cœur de ce projet. Diverses techniques de dépôt telles que l’épitaxie par faisceau moléculaire, le dépôt physique en phase vapeur et le dépôt de couche atomique seront utilisées pour rechercher la combinaison idéale entre le métal et le canal 2D. Le doctorant sera responsable du dépôt/épitaxie, utilisera différentes techniques de caractérisation complémentaires pour fournir une compréhension approfondie et approfondie de l’impact du métal sur le canal 2D et enfin explorera différents schémas d’intégration tels que les contacts supérieurs. par rapport aux contacts latéraux.

Chez imec, nous disposons d’une grande équipe d’experts possédant diverses expériences en matière de matériaux et de techniques de dépôt, de lignes de traitement de pointe de 200 mm et 300 mm, de laboratoires, d’apprentissage et de modélisation de dispositifs. Le doctorant fera partie de l’équipe Advanced Deposition Channel de l’imec, avec des liens étroits avec le département Material Engineering de la KU Leuven.

Type de travail : 40% expérimental, 30% caractérisations, 20% analyse de données, 10% littérature

Superviseur : Clément Merckling

Conseiller quotidien : Pierre Morin

Le code de référence pour ce poste est le  2024-022 . Mentionnez ce code de référence sur votre formulaire de candidature.