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SL-DRT-20-0630
DOMAINE DE RECHERCHE
Matériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique
ABSTRAIT
La mémoire à changement de phase (PCM) représente un candidat majeur parmi les technologies de mémoire résistive non volatile (NVM). Le PCM présente les propriétés de la DRAM et du Flash, et son état avancé en termes de développement et d’industrialisation dans les applications SCM (Storage Class Memory) et dans les microcontrôleurs embarqués basés sur PCM pour les applications automobiles en font une percée indéniable dans le scénario de stockage actuel. Afin de cibler les applications automobiles dans des nœuds technologiques jusqu’à 10 nm, la prochaine génération de PCM devrait faire face à une mise à l’échelle extrême et fournir en même temps l’intégrité des matériaux pendant les étapes de fabrication, les opérations à faible puissance et la fiabilité dans un environnement à haute température. au développement de la prochaine génération de PCM non volatil pour les applications automobiles embarquées. De nouveaux matériaux et de nouvelles architectures seront étudiés impliquant des analyses physico-chimiques et la caractérisation électrique des prototypes LETI et PCM industriels. De plus, l’étudiant sera impliqué dans la collaboration avec le partenaire industriel et des experts au niveau international dans le domaine des matériaux à changement de phase.
EMPLACEMENT
Département Composants Silicium (LETI)
Laboratoire de Composants Mémoires
Grenoble
CONTACT
NAVARRO Gabriele
CEA
DRT / DCOS // LCM
17 rue des martyres38054 Grenoble cedex 9
Numéro de téléphone: +33 4 38 78 60 96
Courriel: gabriele.navarro@cea.fr
UNIVERSITY / GRADUATE SCHOOL
Grenoble INP
Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
DATE DE DÉBUT
Date de début le 01-10-2020
SUPERVISEUR DE THÈSE
ARCAMONE Julien
CEA
DRT / DCOS / SCME
17, rue des Martyrs F-38054 Grenoble Cedex 9 (France)
Numéro de téléphone: 0438789695
Courriel: julien.arcamone@cea.fr
