Bourses postdoctorales en accélérateur de la source de neutrons de spallation de Chine (CSNS)

Au bord du magnifique lac Songshan de Dongguan, dans la province du Guangdong, à environ une heure de route de Hong Kong, se trouve le campus de Dongguan de l’Institut de physique des hautes énergies. Le Campus, créé en 2013, est responsable de la construction et de l’exploitation d’une infrastructure de recherche à grande échelle, la China Spallation Neutron Source (CSNS).

Le CSNS est la première installation à source de neutrons pulsés dans les pays en développement. Ainsi, il devrait avoir des effets positifs en favorisant le développement des sciences fondamentales et de la technologie.
Le CSNS comprend un linac H− de 80 MeV, un synchrotron à cycle rapide (RCS) de 1,6 GeV, une station cible et plusieurs instruments. La puissance nominale du faisceau du CSNS est de 100 kW, ce qui a été atteint en février 2020. Dans le cadre du projet de mise à niveau (CSNS-II), la puissance du faisceau sera augmentée à 500 kW.

Dans CSNS-II, la puissance du faisceau passera de 100 à 500 kW tout en conservant l’énergie d’extraction de 1,6 GeV. L’intensité du faisceau cinq fois plus élevée entraîne un effet de charge d’espace plus fort, ce qui entraînera un décalage du réglage bêtatron plus important et peut entraîner une perte de faisceau. La charge d’espace est le problème le plus important qui limite l’intensité du faisceau du CSNS RCS. Par conséquent, en plus d’augmenter l’énergie d’injection à 300 MeV en ajoutant une cavité supraconductrice dans le linac, la distribution longitudinale est également optimisée pour atténuer l’effet de charge d’espace important et rendre la perte de faisceau plus contrôlable.

Compte tenu des nouveaux problèmes de physique des faisceaux et des défis d’ingénierie du CSNS-II, des recherches sur la physique et la technologie communes des accélérateurs de protons de haute puissance sont menées. Cela comprend l’étude des effets de haute puissance dans les accélérateurs de protons, les mécanismes de perte de faisceau et les méthodes de contrôle, les structures avancées d’accélération à gradient élevé et la technologie haute fréquence, la technologie de source d’ions protons de haute puissance, la technologie de décapage laser, etc.

Le campus de Dongguan prévoit également de construire une source de lumière à rayonnement synchrotron à diffraction limitée de quatrième génération (SAPS, Southern Advanced Photon Source) à côté du CSNS, fournissant ainsi une autre technique de caractérisation puissante aux utilisateurs nationaux et étrangers. Le campus de Dongguan a joué et restera un rôle unique dans le sud de la Chine, grâce à ses avancées en matière de technologie des accélérateurs, de science des neutrons et de science des rayons X, stimulant l’innovation et le développement technologiques non seulement pour la région de la Grande Baie, mais également pour la Chine. Concernant SAPS, des recherches prospectives et systématiques sont menées sur la physique et la technologie de l’accélérateur. Des travaux de recherche sont menés sur le schéma physique des injecteurs pour un accélérateur linéaire à pleine énergie basé sur la structure d’accélération en bande C. En plus,

Liste des domaines de recherche populaires pour les boursiers post-doctoraux

NON. Domaines de recherche Qualifications de base Contactez-nous
B1 Développement d’une technologie avancée de diagnostic de faisceau 1.Un doctorat de haute qualité en physique des particules ou en technologie nucléaire, ou dans un domaine connexe.
2.Solides connaissances de l’utilisation de la dynamique des faisceaux, d’ANSYS, de CST et d’autres logiciels.

3.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.

PI : Yang Renjun yangrenjun@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B2 Mesure de l’alignement de l’accélérateur 1.Un doctorat de haute qualité en instrumentation de précision et en ingénierie optique, ou dans un domaine connexe.
2.Solides connaissances de l’utilisation du logiciel de simulation optique Zemax et de C++ C# Labview. 3.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.
PI : Wang Tong wangt@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B3 Conception physique de la cible à muons pour le CSNS 1.Un doctorat de haute qualité en physique expérimentale des particules.
2. Solide connaissance de l’utilisation de FLUKA ou/et de Geant4 ou de méthodes d’IA telles que l’apprentissage automatique.

3.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.

PI : Nikolaos Vassilopoulos vassilopoulos@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B4 Développement d’un détecteur spectromètre Muozon 1.Un doctorat de haute qualité en physique des particules et en physique nucléaire.
2.Solides connaissances de l’utilisation de Geant4 ou Root. 3.Excellentes compétences pour les grands systèmes de détection.

4.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.

PI : Li Qiang qiangli@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B5 Recherches expérimentales à la source de neutrons blancs Back-n 1.Un doctorat de haute qualité en physique des particules et en physique nucléaire ou en technologie nucléaire.
2.Solides connaissances de l’utilisation de Geant4 ou Root. 3.Excellentes compétences pour l’analyse par activation neutronique. 4.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.
PI : Jiang Wei jiangwei@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B6 Recherche et développement d’un détecteur à scintillateur à courant élevé dans une expérience d’expansion de faisceau 1.Un doctorat de haute qualité en physique des particules et en physique nucléaire.
2.Solides connaissances de l’utilisation de Geant4 ou Root.
PI : Fan Ruirui fanrr@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi
application 3.Excellentes compétences pour l’expérience de faisceau physique à haute énergie.
4.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.
dghr@ihep.ac.cn
B7 Application du faisceau de protons à la production d’isotopes médicaux 1.Un doctorat de haute qualité en physique des particules et en physique nucléaire ou en technologie nucléaire.
2.Solides connaissances de l’utilisation de Geant4 ou Root. 3.Excellentes compétences pour l’expérience de faisceau physique à haute énergie.

4.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.

PI : Jing Hantao jinght@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B8 Recherche et développement d’un détecteur de faisceaux de protons à haute énergie 1.Un doctorat de haute qualité en physique des particules et en physique nucléaire ou en technologie nucléaire.
2.Solides connaissances de l’utilisation de Geant4 ou Root. 3.Excellentes compétences pour tester et analyser les données du détecteur de pixels en silicium.

4.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.

PI : Jing Hantao jinght@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B9 Recherche sur l’injecteur Southern Advanced Photon Source (SAPS) 1.Un doctorat de haute qualité en technologie des accélérateurs ou en technologie nucléaire.
2. Excellentes compétences pour accélérer la conception et la mise en service des tubes.

3.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.

PI : Liu Huachang liuhc@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B10 Recherche sur le système RF de bas niveau de Southern Advanced Photon Source (SAPS) 1.Un doctorat de haute qualité en technologie électromagnétique et micro-ondes ou en technologie nucléaire. 2.Excellentes compétences pour le système de bas niveau de cavité supraconductrice.

3.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.

PI : Li Xiao lixiao@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B11 Pré-recherche du système HF Southern Advanced Photon Source (SAPS) 1.Un doctorat de haute qualité en technologie électromagnétique et micro-ondes ou en technologie nucléaire. 2.Solides connaissances de la physique des accélérateurs. 3.Bonnes compétences écrites et orales en anglais. PI : Li Xiao lixiao@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B12 Recherche sur la technologie d’alimentation à impulsions rapides du système d’injection Southern Advanced Photon Source (SAPS) 1.Un doctorat de haute qualité en technologie électromagnétique et micro-ondes ou en technologie nucléaire. 2. Expérience dans la conception d’alimentations à impulsions rapides. 3.Bonnes compétences écrites et orales en anglais. PI : Qi Xin qix@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B13 Recherche sur le contrôleur numérique du système d’alimentation électrique pour CSNS 1.Un doctorat de haute qualité en génie électrique et en automatisation.
2. Expérience dans la recherche sur les puces FPGA.
3.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.
PI : Qi Xin qix@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B14 Simulation de perte de faisceau dans l’accélérateur linéaire CSNS-II 1.Un doctorat de haute qualité en physique des particules et en physique nucléaire ou en technologie nucléaire.
2. Solide connaissance de la conception des treillis.
3.Excellentes compétences pour utiliser un logiciel de simulation de dynamique de faisceau.

4.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.

PI : Peng Jun pengjun@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B15 Conception physique et poutre 1.Un doctorat de grande qualité en physique des particules et nucléaire PI : Huang Mingyang
Débogage de l’accélérateur CSNS-II Physique ou technologie nucléaire.
2.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.
huangmy@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B16 Pré-recherche sur Southern Advanced Photon Source (SAPS) et conception physique de l’accélérateur 1.Un doctorat de haute qualité en physique des particules et en physique nucléaire ou en technologie nucléaire.
2.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.
PI : Liu Xingguang liuxg@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B17 Recherche sur le système de vide CSNS II 1.Un doctorat de haute qualité en science des matériaux ou dans un domaine connexe.
2. Solide connaissance du film mince en alliage.
3.Excellentes compétences pour utiliser l’équipement de revêtement par pulvérisation magnétron.

4.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.

PI : Wang Pengcheng wangpc@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn
B18 Recherche sur de nouvelles sources d’ions hydrogène négatifs pilotées par ECR 1.Un doctorat de haute qualité en physique des plasmas, en physique atomique et moléculaire ou dans un domaine connexe.
2. Expérience dans la conception d’une source d’ions et d’un accélérateur linéaire.

3.Bonnes compétences écrites et orales en anglais.

PI : Chen Weidong chenwd@ihep.ac.cn RH : Zeng Quanyi dghr@ihep.ac.cn

Comment s’inscrire

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  • Curriculum Vitae et lettre de motivation.
  • Documents représentatifs, certificats, etc.
  • Copies des diplômes et relevés de notes avec notes.
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Informations complémentaires

Site Internet de l’institut : http://english.ihep.cas.cn/csns/ Contact : dghr@ihep.ac.cn

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