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PhD position – Mémoire à changement de phase pour 28 nm et au-delà: nouvelles frontières et innovations aux limites de la feuille de route de mise à l’échelle de la mémoire non volatile pour les microcontrôleurs automobiles de demain

DESCRIPTION DE L’EMPLOI SL-DRT-20-0630 DOMAINE DE RECHERCHE Matériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique ABSTRAIT La mémoire à changement de phase (PCM) représente un candidat majeur parmi les technologies de mémoire résistive non volatile (NVM). Le PCM présente les propriétés de la DRAM et du Flash, et …

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DESCRIPTION DE L’EMPLOI SL-DRT-20-0077 DOMAINE DE RECHERCHE Photonique, imagerie et écrans ABSTRAIT Les technologies de l’imageur sont utilisées dans un large éventail d’applications pour les applications grand public, mobiles et automobiles. Le développement de l’imageur nécessite une coopération très étroite entre les équipes d’ingénierie des processus et de fiabilité pour …

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